01
约束靶面成型 TARGET FORMATION
射流注入 + 磁约束 = 稳定靶面构型
通过射流注入持续补充靶材，并以磁场约束靶面等离子体的空间分布， 形成稳定可控的辐射靶面构型，为光源长时间稳态运行提供基础。
CAPABILITY稳定的靶面密度及温度分布控制
01 / SYSTEM OVERVIEW
光源系统总览
从工质注入到辐射引出，五项关键技术在系统中的位置一一对应（图中编号 ①–⑤）。
- ①约束靶面成型
- ②焦斑解耦能量注入
- ③高反射率收集
- ④碎屑处理
- ⑤高能量密度激光器
02 / KEY TECHNOLOGIES
关键技术
02
焦斑解耦能量注入 DECOUPLED ENERGY INJECTION 核心自由度
CW 密度铺垫 + 脉冲选点点火 = 焦斑解耦
连续激光负责铺垫等离子体密度，脉冲激光在选定位置精确点火， 能量注入与焦斑位置相互解耦，功率调节与光束对准不再彼此制约——这是我们的核心自由度。
CAPABILITY稳定高效的能量注入与激发
03
高反射率收集 HIGH-REFLECTIVITY COLLECTION
掠入射收集光学 = 高效辐射引出
采用掠入射收集光学方案，在保持高反射率的同时增大收集立体角， 将 13.5 nm EUV 辐射高效引出至中间焦点，为后端照明系统提供充足功率。
CAPABILITY多段多层膜收集光学系统保证高收集率
04
碎屑处理 DEBRIS MITIGATION
收集镜保护 + 工质回收 = 碎屑闭环处理
通过收集镜保护机制阻隔靶材碎屑沉积，并对工质进行回收再利用， 形成完整的碎屑处理闭环，保障光学系统长期稳定运行。
CAPABILITY高效处理金属碎屑
05
高能量密度激光器 HIGH-ENERGY-DENSITY LASER
连续 + 脉冲 = 双激光协同系统
连续与脉冲双激光系统协同工作，在靶面实现高能量密度沉积， 兼顾稳态铺垫与瞬时点火需求，支撑高功率 EUV 输出。
CAPABILITY高功率密度、高墙插转化率
03 / DESIGN TARGETS
研发目标
13.5 nm
目标波段
Sn 等离子体带内辐射，面向 EUV 光刻需求
稳态长脉冲
运行模式
面向持续出光，匹配装备占空比要求
10 秒级
长脉冲装置目标
第二阶段铜线圈托卡马克研制目标
source–illuminator
装备接口形态
以子系统方式完成与曝光系统的接口集成
以上为研发目标与设计方向，具体性能指标以实验验证为准。
04 / WHY TOKAMAK
为什么选择托卡马克路线
01
无碎屑 DEBRIS-FREE
以磁约束等离子体为辐射介质，高温等离子体被磁场悬空约束，不与任何实体 表面直接接触，从原理上规避金属碎屑对收集镜的污染与镀膜损伤，显著延长光学系统寿命。
02
稳态长脉冲 STEADY-STATE
磁约束位形天然面向长脉冲稳态运行，匹配光刻装备对光源连续出光与高占空比的要求， 为工业级持续供电与热管理设计提供技术基础。
03
紧凑 COMPACT
托卡马克方案将高温等离子体约束在小型真空腔内，光源主机结构紧凑、体积可控， 更易与曝光系统完成装备接口集成，降低整机部署与厂务成本。
04
供应链自主 AUTONOMY
磁体、电源、激光器与收集光学等关键部件均立足国内供应链，核心模块自主可控， 保障研发迭代节奏与长期供货安全。
05 / ROADMAP
工程规划 · 研发三步走
从现有装置测量出发，稳步推进至全超导工业级光源。
PHASE 01 · 2026
SUNIST-2 现有装置测量
基于现有 SUNIST-2 托卡马克装置，开展等离子体运行与 EUV 辐射相关测量， 验证关键技术路径。
- 等离子体运行与 13.5 nm 辐射测量
- 靶面成型与能量注入方案验证
- 收集光学与碎屑处理方案验证
PHASE 02 · 2027 – 2028
10 秒级铜线圈托卡马克
研制 10 秒级长脉冲铜线圈托卡马克装置，完成光源系统集成验证。
- 长脉冲稳态运行与热管理验证
- 双激光系统与光源主机集成
- 关键部件工程化迭代
PHASE 03 · 2028+
全超导工业级光源
基于全超导托卡马克平台，建成面向光刻装备的工业级 EUV 光源。
- 全超导磁体平台与长期运行
- 工业级 EUV 功率输出验证
- 装备接口集成与交付